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137-2866-5346單晶硅太陽電池PECVD設(shè)備鍍膜均勻性的細(xì)節(jié)因素可從以下5個方面改善
1.適當(dāng)?shù)慕档湾兡み^程中反應(yīng)壓力有助于改善鍍膜均勻性，
2.適當(dāng)增加工藝沉積前的恒溫時間、控制絨面的均勻性同樣有助于改善鍍膜均勻性，
3.腔體內(nèi)部及特氣進氣孔的清潔保養(yǎng)及時性同樣可提升單晶硅太陽電池PECVD鍍膜均勻性，
4.降低石墨舟表面粗糙度同樣可改善鍍膜均勻性。
5.選擇在爐腔壓力1200mtorr、恒溫時間5min、降低石墨舟表面粗糙度，搭配絨面差異小的硅片，
做好這些對鍍膜均勻性改善可以有非常好的效果
PECVD鍍膜技術(shù)原理：是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)在樣品表面形成固態(tài)薄膜
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