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137-2866-53462018年12月,比亞迪發(fā)布了在車規(guī)級領(lǐng)域的IGBT 4.0技術(shù),此前這項技術(shù)及零部件基本都被國外的企業(yè)所壟斷。而發(fā)布此項技術(shù)之后,比亞迪成為了國內(nèi)第一家實現(xiàn)車規(guī)級IGBT大規(guī)模量產(chǎn)、也是唯一一家擁有IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈的車企。今天跟大家聊聊和IGBT相關(guān)的事吧。
什么是IGBT?它是干什么的? IGBT中文稱“絕緣柵雙極型晶體管”,你可以把它理解為一個開關(guān),用在電壓幾十到幾百伏、電流幾十到幾百安的強電上。這時候你可能會想到,這個電壓電流的量級,不就是我們?nèi)粘<矣秒姷牧考墕幔康依锏碾姛糸_關(guān)是用實體按鈕控制的,IGBT不用機械按鈕,是由計算機控制的。 我們?nèi)粘I钪校褂玫亩际墙涣麟?,發(fā)電廠發(fā)出來的都是交流電,但如果你想給電動車充電,必須把交流變成直流才能充進(jìn)去,IGBT正好就能實現(xiàn)這個功能,電池放電的時候,通過IGBT把直流電轉(zhuǎn)變成交流電機使用的交流電。這是IGBT的一個功能:交流直流互轉(zhuǎn)。 IGBT其實離我們并不遙遠(yuǎn),就算你家里沒有汽車,有些很常用的東西里也有IGBT,比如電磁爐和變頻空調(diào)。這涉及到IGBT的另一個功能,變頻。比如電磁爐需要把普通的50赫茲交流電變成20-40千赫茲的高頻交流電。 當(dāng)然它也是變壓器的組成部分。 所以IGBT是一個很“均衡強勢”的東西,雖然上面說的幾個功能使用逆變器、整流器、變壓器等也能實現(xiàn),但一是他們不能承受那么高的電壓,二是開關(guān)速度沒有IGBT快,IGBT一秒鐘可以開關(guān)幾萬次。 IGBT在電動車?yán)锔墒裁矗?/strong> IGBT主要應(yīng)用于電動汽車領(lǐng)域中以下幾個方面: ◆1. 電控系統(tǒng) 大功率直流變交流(逆變器的功能)后驅(qū)動汽車電機; ◆2. 車載空調(diào)控制系統(tǒng) 小功率直流/交流逆變; ◆3. 充電樁 智能充電樁中IGBT模塊被作為開關(guān)使用; ▲ 比亞迪車規(guī)級IGBT模組 上面說了IGBT可以承受高電壓、可以變頻、可以控制交直流轉(zhuǎn)換、可以變壓,也就是說現(xiàn)在有了電壓、頻率都受控制的強電,這個強電就可以用來驅(qū)動汽車、高鐵等交通工具的電機。 IGBT有點貴,并長期被國外供應(yīng)商壟斷 據(jù)悉,IGBT約占電機驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半,而電機驅(qū)動系統(tǒng)占整車成本的15-20%,也就是說IGBT占整車成本的7-10%,是除電池之外成本第二高的元件,也決定了整車的能源效率。 ▲ 2016-2020年IGBT應(yīng)用收入 不僅是新能源車,直流充電樁和高鐵的核心也是IGBT管,直流充電樁30%的原材料成本就是IGBT。電力機車一般需要 500 個 IGBT 模塊,動車組需要超過 100 個 IGBT 模塊,一節(jié)地鐵需要 50-80 個 IGBT 模塊。 著名的IGBT供應(yīng)商是英飛凌,它幾乎壟斷了處日系廠商外所以電動車的IGBT,而日系比如豐田,其混動車的IGBT都是自己完成的,也是全球唯一能自產(chǎn)IGBT的廠商。 這回你明白比亞迪實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)IGBT的意義了吧。 剛攻克的技術(shù),為何被碳化硅取代了? 其實碳化硅(SiC)是下一代IGBT,碳化硅“取代”IGBT只是正常的技術(shù)上的更迭。碳化硅的優(yōu)勢很明顯,近其通態(tài)阻抗(就是半導(dǎo)體器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻)為通常硅器件的十分之一,本身發(fā)熱量小,導(dǎo)致用其制作的器件的導(dǎo)熱性能極優(yōu)。還有,碳化硅功率器件可在400℃的高溫下正常工作。其可利用體積微小的器件控制很大的電流。工作電壓也高得多。 ▲ 比亞迪 SiC 模塊 碳化硅的研究依舊是日本人領(lǐng)先,比如三菱等大廠現(xiàn)在可以做到量產(chǎn)碳化硅元件,豐田在2013年就 建立了碳化硅半導(dǎo)體試制線,預(yù)計2021年旗下的混動車和氫燃料電池車就全面使用碳化硅。不過比亞迪也很努力了,他們已經(jīng)成功研發(fā)了SiC MOSFET,有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預(yù)計到2023年實現(xiàn)SiC基車用功率半導(dǎo)體對硅基IGBT的全面替代。 目前限制SiC應(yīng)用主要是兩方面,第一個當(dāng)然是價格,其價格是傳統(tǒng)Si型IGBT的6倍。其次是電磁干擾,當(dāng)然也有工藝方面等難以攻克的問題。 點評 好的,以上就是IGBT和其下一代碳化硅的基本信息,其實這些內(nèi)容更多的涉及到新材料、半導(dǎo)體等方面的知識在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用,所以我們十分歡迎更加專業(yè)的朋友們在評論區(qū)交流,大家一起學(xué)習(xí)吧。
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